Seminário do Progama de Pós-Graduação em Materiais Para Engenharia da UNIFEI

Convidamos a comunidade UNIFEI para participar do Seminário que será proferido pelo Professor Dr. Márcio Peron Franco Godoy, pesquisador da Universidade Federal de São Carlos, conforme os dados apresentados abaixo.

Local: Auditório, sala 14, IFQ

horário: Terça-feira, 9 de maio de 2017

Filmes finos de ZnO dopados com Cobalto e Cádmio crescidos por spray-pirólise

Os semicondutores de gap largo são considerados sistemas estratégicos para a eletrônica de alta potência, eletrodos transparentes  e  interessantes devido a propriedades de spin como semicondutores magnéticos diluídos (DMS). Com os objetivostanto de introduzir propriedades magnéticas como reduzir seu bandgap óptico, a dopagem com metais do grupo B é um tópico promissor para ser explorado. Neste sentido, o óxido de zinco dopado com cobalto têm sido objeto de estudo no campo de spintrônica enquanto a dopagem com cádmio permite uma redução do bandgap associada  a um aumento da condutividade elétrica. Entretanto, os processos de dopagem em óxidos são fortemente dependentes do método de síntese. Um processo de produção versátil e acessível à produção industrial é a spray-pirólise.

Apresentamos uma investigação de filmes policristalinos de ZnO obtidos através da pulverização de uma solução aquosa de acetate de zinco di-hidratado (Zn(CH₃COO)₂ · 2H₂O). Soluções com baixa molaridade (4x10^-3) permitem o crescimento de filmes transparentes de até 1 mm de espessura em substratos de vidro em uma faixa de crescimento entre 220-330^oC.Para a adição de Coou Cdutiliza-se como precursores seus respectivos acetatos. As propriedades estruturais, morfológicas e ópticas de filmes de Zn_1-xCo_xO e Zn_1-xCd_xO são investigadas por difração de raios-X, absorção e transmissão ópticas e fotoluminescência. Nossos resultados mostram a incorporação de Cd e Co em sítios substitucionais. A dopagem com Cd acarreta uma redução do bandgap óptico e uma forte emissão óptica relacionada à banda de defeitos em 500 nm que pode ser utilizada como um mecanismo de downshift em células solares. A dopagem com Coem sítios substitucionais ao Zn é aferida através da absorção óptica de linhas em 566, 611 e 658 nm correspondentes à transições d-d associadas à valência +2. Nossos resultados indicam uma incorporação destes dopantes sem a presença de fases secundárias até seus limites de solubilidade no ZnO.