PREPARAÇÃO E CARACTERIZAÇÃO DE FILMES FINOS DE MOS2 PARA TERMOELETRICIDADE.
dissulfeto de molibdênio (MoS2), Deposição Física de Vapor (PVD),
dicalcogenetos de metais de transição (TMDs), geração termoelétrica, cristais bidimensionais.
Este trabalho apresenta os resultados da síntese e caracterização de cristais bidimensionais
de dissulfeto de molibdênio (MoS2) utilizando a técnica de Deposição Física de Vapor
(PVD) em substratos de dióxido de silício (SiO2), visando sua aplicação em dispositivos de
geração termoelétrica. Para a obtenção dos cristais, foram conduzidos três experimentos
distintos: no primeiro, sem a adição de água, o filme fino de MoS2 foi obtido a partir do pó
comercial de MoS2 e enxofre no forno PVD; no segundo, a adição de água ao enxofre permitiu
a análise dos efeitos dessa modificação no crescimento dos cristais; e, no terceiro, a
introdução de prata no forno tubular possibilitou a investigação dos impactos da dopagem
nas propriedades do material. A caracterização das amostras foi realizada por Microscopia
Óptica (MO) e Microscopia Eletrônica de Varredura (MEV) para análise da morfologia
e distribuição dos cristais, enquanto a Difração de Raios X (DRX) foi empregada para
identificar a estrutura cristalina do material. Além disso, as amostras foram submetidas
a análises de Espectroscopia Raman, permitindo uma avaliação detalhada das propriedades
vibracionais do MoS2. Os resultados indicaram que a presença de H2O na etapa de
deposição favoreceu a obtenção de filmes finos de MoS2 com melhor cristalinidade. Essas
descobertas fornecem informações valiosas para a aplicação desse material em dispositivos
eletrônicos e de geração termoelétrica.